2N7000 TRANSISTOR MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA 400mW TO-92

Il 2N7000 è un componente molto diffuso, spesso consigliato come componenti utili e comuni da avere a portata di mano per uso hobbistico. 
In contenitore TO-92,  il 2N7000 è un dispositivo a 60 V e può commutare 200 mA

Un uso tipico di questi transistor è come interruttore per tensioni e correnti moderate, anche come driver per piccole lampade, motori e relè. Nei circuiti di commutazione, questi FET possono essere utilizzati in modo molto simile ai transistor a giunzione bipolare, ma presentano alcuni vantaggi:
l'elevata impedenza di ingresso del gate isolato significa che non è richiesta quasi alcuna corrente di gate, di conseguenza non è necessaria alcuna resistenza limitatrice di corrente all'ingresso del gate
I MOSFET, a differenza dei dispositivi di giunzione PN (come i LED) possono essere messi in parallelo perché la resistenza aumenta con la temperatura, sebbene la qualità di questo bilanciamento del carico dipenda in gran parte dalla chimica interna di ogni singolo MOSFET nel circuito
I principali svantaggi di questi FET rispetto ai transistor bipolari nella commutazione sono i seguenti:

suscettibilità a danni cumulativi da scarica statica prima dell'installazione
circuiti con esposizione a gate esterno richiedono una resistenza di gate di protezione o altra protezione contro le scariche statiche
Risposta ohmica diversa da zero quando guidato alla saturazione, rispetto a una caduta di tensione di giunzione costante in un transistor a giunzione bipolare

Drain-Source Voltage (VDS):         60V
Continuous Drain Current (ID):       200mA
Pulsed Drain Current (ID-peak):    500mA
Gate threshold voltage (VGS-th):   3V
Gate-Source Voltage is (VGS):     ±20V
Package:                                          TO-92


SIMILARI N CHANNEL:  BS170, NTE 491, IRF3205, IRF540N, IRF9Z34N, IRFP250N, IRFZ44
SIMILARI P CHANNEL:  BS250P

datasheet datasheet 2N7000 su wikipedia